據(jù)7月21日報道稱，華為技術有限公司已經(jīng)悄悄的在招聘“光刻工程師”，這或許意味著華為可能打算自己研任弼時子女發(fā)芯片制造技術，不依賴第三方供應商。 前不久有消息稱，華為內部確實提出要堅定選擇絕處逢生式的全產業(yè)鏈模式，進軍更多業(yè)務板塊謀存空間。 消息稱，海思仍在擴張，暫不考慮縮減規(guī)模，不考慮“散是滿天星”之類的市場傳聞把人員散落到其他公司的動作，而是在積極尋找代工廠，打造設計制造一體的IDM(垂直整合制造工廠，芯片設計和芯片制造一體)。 業(yè)內人士表示，目前全球最先進的芯片制程工藝牢牢掌握在臺積電、三星等少數(shù)公司手里。而中國在先進芯片制程領域沒有多少話語權。 因此，在如此重要的領域，必須做到自主可控，所以當下最重要的事情就是加速完成產業(yè)鏈整合及自主可控，爭取早日趕上國際先進制程水平。 光刻機工作原理：光刻機通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線圖的掩模，經(jīng)物鏡補償各種光學誤差，將線圖成比例縮小后映射到硅片上，然后使用化學方法顯影，得到刻在硅片上的電圖。 中國的光刻機發(fā)展起源于20世紀70年代，伴隨著半導體行業(yè)研究的興起，中國于1977年研發(fā)成功第一臺光刻機，1978-1985年先后研制成功三臺光刻機，當時中國的半導體產業(yè)雖然沒有達到當時世界先進水平，但是差距并不大。 80年代底，由于中國“造不如買”的發(fā)展，導致中國半導體行業(yè)停滯不前，直到2002年，國家開始重視光刻機的研發(fā)。 至今18年的時間里，中國在逐步縮小和國際光刻機巨頭的差距，漫漫其修遠兮，上海微電子等光刻機企業(yè)的崛起，表明中國正在追趕的上堅定不移、勇往無前。 目前全球光刻機被ASML、Canon和Nikon三家供應商包攬。ASML光刻機主要包括三大款：EUV、浸入式DUV、干式DUV。公司在中高端領域領先，在最高端領域壟斷，是摘取光刻機皇冠上明珠的領先企業(yè)。其中最先進的EUV機臺只有ASML提供，中低端設備ASML也占據(jù)大部分市場。 EUV光刻機是目前最先進的光刻機，采用EUV光源，使用的光波波長只有13.5nm，NA（數(shù)值孔徑）為0.33，目前全球只有ASML能生產EUV光刻機，售價高達1.2億美元。 ArF類光刻機市場ASML處于絕對競爭優(yōu)勢，Nikon只提供少量干法設備供給，KrF與i-line設備則是與Nikon和Canon相互競爭。近幾年光刻機市場需求呈上升趨勢，ASML光刻設備數(shù)量市占率一直保持在60%以上。 EUV光刻機不需要多重，一次就能曝出想要的精細圖形，沒有超純水和晶圓接觸，在產品生產周期、光學鄰近效應矯正的復雜程度、工藝控制、良率等方面都有明顯優(yōu)勢。 格芯首席技術官Gary Patton曾說：“如果在5nm的時候沒有使用EUV光刻機，那么光刻的步驟將會超過100步”。 方正證券認為，隨著中國代工廠的不斷擴建，未來對于國產光刻機的需求不斷提升，而當前國內與國外頂尖光刻機制程仍存在較大差距，國產光刻機應從如下幾個方面尋求突破： 1、產業(yè)分工：國內涉及相關光刻機零部件的企業(yè)形成產業(yè)分工，各取所長研發(fā)、提供相應的技術和零部件；2、科研投入：目前國內企業(yè)仍存有買辦思維，光刻機作為人類智慧的結晶，高科技產物，科研投入必不可少；3、技術突破：匯集頂尖人才對于核心技術優(yōu)先突破；4、人才積累：注重勵機制。 目前來看，華為是否下定決心要自己搞芯片工廠，或者研發(fā)光刻機，是否愿意承受失敗的巨大風險，才是關鍵。現(xiàn)在搞光刻機很難，但如果不搞，以后會一直很難。
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